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IXBL64N250
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i5-Pak TM HV (IXBL) Outline
E S
g fS
C ies
I C = 64A, V CE = 10V, Note 1
40
72
8900
S
pF
C oes
C res
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz
345
118
pF
pF
1 2
+
3
4
Q g
400
nC
Q ge
I C = 64A, V GE = 15V, V CE = 600V
46
nC
Q gc
155
nC
e1
c
b2
b3
e
b1
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times, T J = 25°C
I C = 128A, V GE = 15V
V CE = 1250V, R G = 1 Ω
49
318
232
170
ns
ns
ns
ns
SYM
A
A1
Pin 1
Pin 2
Pin 3
Tab 4
INCHES
MIN MAX
0.190 0.205
0.102 0.118
= Gate
= Emitter
= Collector
= Electrically Isolated
MILLIMETER
MIN MAX
4.83 5.21
2.59 3.00
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times, T J = 125°C
I C = 128A, V GE = 15V
V CE = 1250V, R G = 1 Ω
54
578
222
175
ns
ns
ns
ns
A2
b
b1
b2
c
D
0.046
0.045
0.063
0.058
0.020
1.020
0.055
0.055
0.072
0.068
0.029
1.040
1.17
1.14
1.60
1.47
0.51
25.91
1.40
1.40
1.83
1.73
0.74
26.42
R thJC
0.25 °C/W
E
e
0.770 0.799
0.150 BSC
19.56
3.81 BSC
20.29
R thCS
0.15
°C/W
e1
L
L1
Q
Q1
R
R1
0.450 BSC
0.780 0.820
0.080
0.102
0.210
0.235
0.490
0.513
0.150
0.180
0.100
0.130
11.43 BSC
19.81 20.83
2.03
2.59
5.33
5.97
12.45
13.03
3.81
4.57
2.54
3.30
Reverse Diode
S
T
0.668
0.801
0.690
0.821
16.97
20.34
17.53
20.85
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
U
0.065
0.080
1.65
2.03
(T J = 25°C Unless Otherwise Specified)
Min. Typ. Max
V F
t rr
I RM
Notes:
I F = 64A, V GE = 0V, Note 1
I F = 64A, V GE = 0V, -di F /dt = 650A/ μ s
V R = 600V, V GE = 0V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
2. Part must be heatsunk for high-temp Ices measurement.
160
480
3.0
V
ns
A
Additional provisions for lead-to-lead isolation are required at V CE >1200V
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived
from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a
"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test
conditions, and dimensions without notice.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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IXBN75N170A 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXBOD 1-08 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXBOD1-06 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-07 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-08 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-09 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA